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然而，类负在无催化剂的绝缘衬底上生长高质量的石墨烯仍然存在挑战。显然，荷资合后直接在绝缘衬底上生长石墨烯可以避免上述转移工艺的缺陷。

然而，源通铜箔上的石墨烯需要转移到绝缘衬底才能用于电子和光电子结构的制作，该过程中可能引入杂质或者皱褶，降低石墨烯的质量。图1在Al2O3（0001）上形成的晶圆级单晶Cu（111）薄膜©2022SpringerNature采用MPE-CVD在Al2O3（0001）上生长单晶石墨烯根据本文提出的机制，形成虚拟多循环等离子体蚀刻辅助化学气相沉积（MPE-CVD）分为以下四个阶段（图2a）：形成虚拟（1）碳扩散：分解的活性碳原子在Cu（111）薄膜的上表面部分凝聚成石墨烯，部分溶解到Cu（111）晶体，通过薄膜扩散进入Cu（111）-Al2O3（0001）界面。